本次拿了一些目前比較普遍的抗斷裂電容系列，來介紹一下目前防斷裂電容的設(shè)計機制。借此機會一起介紹一下貼片電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及主要成分。
電容瓷體黃色的部分為二類電介質(zhì)，瓷體中間黑色的部分為內(nèi)電極，其主要成分為金屬鎳。
往兩邊看，外電極結(jié)構(gòu)有三層為銅 鎳 錫。銅層作為導(dǎo)電層。鎳層的作用在于作為熱阻擋層，避免電容本體在焊接時承受過大的熱沖擊，而錫層則作為可焊接金屬層，確保MLCC具有良好的可焊性。
往兩邊看，外電極結(jié)構(gòu)有三層為銅 鎳 通過將電極分成多個部分，應(yīng)力分布變得更加均勻， 減少了任何單一點或區(qū)域上的應(yīng)力集中，從而降低斷裂的可能性。不過這種電容只有對內(nèi)部結(jié)構(gòu)作出改變， 抗彎折性能相比于普通電容稍好。但在價格上兩者基本沒有差別，所以若型號匹配此系列電容的設(shè)計范圍，用N系列電容當然是更好的。
通過在電容表面和底部添加高強度陶瓷來防斷裂， 成本稍有增加，但其抗斷裂強度相比同系列會有明顯改善，并且因為占用了原本的陶瓷介質(zhì)拿來防斷裂，所以此系列電容只能做低容段。
普通電容鍍層為銅 鎳 錫
C/F則為銅軟端和銀軟端電容，其端頭結(jié)構(gòu)為銅-樹脂銅/銀-鎳-錫。我們可以很清楚的看到鍍層是有4層結(jié)構(gòu)。通過樹脂金屬的彈性形變來分散應(yīng)力，減少直接作用于陶瓷體和金屬端頭的應(yīng)力。這種類型的電容抗彎折能力最強，在抗彎折測試中能達到8mm-10mm左右的彎曲深度。
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